半导体器件原理
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内容简介
书名:半导体器件原理
作者:黄均鼐,汤庭鳌,胡光喜编著
ISBN:978-7-309-08144-2
出版社:复旦大学出版社
出版日期:2011.05
本书共12章,包括半导体器件的物理基础、p-n结、晶体管的直流特性、晶体管的频率特性和功率特性、晶体管的开关特性、半导体表面特性及MOS电容、MOS场效应晶体管的基本特性、半导体功率器件、小尺寸MOS器件的特性、多栅MOS场效应管、不挥发存储器基础、金-半接触和肖特基势垒器件。
作者:黄均鼐,汤庭鳌,胡光喜编著
ISBN:978-7-309-08144-2
出版社:复旦大学出版社
出版日期:2011.05
本书共12章,包括半导体器件的物理基础、p-n结、晶体管的直流特性、晶体管的频率特性和功率特性、晶体管的开关特性、半导体表面特性及MOS电容、MOS场效应晶体管的基本特性、半导体功率器件、小尺寸MOS器件的特性、多栅MOS场效应管、不挥发存储器基础、金-半接触和肖特基势垒器件。
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